메모리 반도체에 바라는 바

1. 데이터 기록

2. 데이터 저장

3. 데이터 불러내기 (읽기)

4. Addresable (선택된 셀만)

5. 선택되지 않은 셀의 데이터 오류 발생 방지

→ 이런 걸 하는데 빠르고 많이(싸게) 했으면 좋겠다.  그래서, 저전력 (전압), low bit cost

간단한 것 같지만 모든 것을 만족시키는 것이 생각보다 어렵다!

더구나 DRAM 빠르게 동작하므로 명령이 추가될 여유가 없다는 점도 NAND보다 까다롭다.

DRAM은 아래의 그림과 같이 Wordline을 선택하는 순간 WL에 연결된 모든 셀이 open되고 Sense amp가 동작되는 특징이 있다. 셀의 데이터가 이 과정에서 파괴되나 이 과정에서 자동적으로 restore된다. 

옆의 WL이나 BL이 동작할 때 영향은 있는 지도 같이 살펴야 한다.