Conference
“Integration of 4F2 selector-less crossbar array 2Mb ReRAM based on transition metal oxides for high density memory applications”
Hyung Dong Lee, S. G. Kim, K. Cho, H. Hwang, H. Choi, J. Lee, S. H. Lee, H. J. Lee, J. Suh, S.-O. Chung, Y. S. Kim, K. S. Kim, W. S. Nam, J. T. Cheong, J. T. Kim, S. Chae, E.-R. Hwang, S. N. Park, Y. S. Sohn, C. G. Lee, H. S. Shin, K. J. Lee, K. Hong, H. G. Jeong, K. M. Rho, Y. K. Kim, S. Chung, J. Nickel, J. J. Yang, H. S. Cho, F. Perner, R. S. Williams, J. H. Lee, S. K. Park, S.-J. Hong
Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology, 2012
419-1 C5, 80, Jigok-ro, Nam-gu, Pohang-si,
Gyeongsangbuk-do, Republic of Korea [37666]
swchung@postech.ac.kr
©2023 INNOVATIVE MEMORY PROCESS AND DEVICE. ALL RIGHTS RESERVED.
419-1 C5, 80, Jigok-ro, Nam-gu, Pohang-si, Gyeongsangbuk-do, Republic of Korea [37666]
swchung@postech.ac.kr
©2023 INNOVATIVE MEMORY PROCESS AND DEVICE. ALL RIGHTS RESERVED.